IT之家 12 月 19 日音书，韩媒 Business Korea 昨日（12 月 18 日）发布博文，报说念称三星电子正积极投资建设 10 纳米级第七代（1d）DRAM 测试线，旨在晋升良率，扩大与竞争敌手的时间差距，并力争在来岁从头夺回 DRAM 商场的朝上地位。

音书称三星已于本年第四季度启动在平泽第二工场（P2）建设 10 纳米级第七代 DRAM 测试线，又称“one path”线。

该测试线瞻望将于 2025 年第 1 季度全面建成，用于测试新址品的量产后劲，并晋升良率。尽管平泽 10 纳米级第七代 DRAM 工场的真正限度尚未笃定，但时常安设测试线每月可责罚约 10000 片晶圆。

IT之家征引该媒体报说念，三星准备同步激动第七代 DRAM 测试线的建设与第六代 DRAM 的量产准备，策画从 2025 岁首启动在平泽第四工场（P4）引进斥地，坐蓐 10 纳米级第六代 DRAM，并力争在来岁 5 月获取里面量产批准（PRA）。

在东说念主才配备方面，三星为顺利激动 1c DRAM 的量产，还将从华城工场嘱托 DRAM 关联东说念主员到平泽工场。

该媒体解读合计，三星此举是一项积极的投资计策，在资历了 HBM 商场份额被 SK 海力士非凡，以及 10 纳米级第六代 DRAM 开发速率过时的双重打击后，三星正负重致远，但愿通过提前布局下一代居品，在来岁重夺商场“霸主”地位。

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